昭和電工(株)は、新日鐵住金(株)および新日鉄住金マテリアルズ(株)より、パワー半導体の材料である炭化ケイ素(SiC)ウェハーの昇華再結晶法に関する関連資産を、2018年1月末をめどに譲り受ける。
 SiCパワー半導体は、現在主流のSi(シリコン)に比べ耐高温・耐電圧・大電流特性に優れた半導体材料で、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と省エネルギー化に貢献することから、次世代パワー半導体として注目されている。一方で、MOSFETを含めたパワーモジュールのフルSiC化にはさらなる結晶欠陥の低減と低コスト化が課題となっている。
 昭和電工は、2005年からSiCエピタキシャルウェハー(以下、エピウェハー)の技術開発に取り組み、現在、月産3000枚(注)の製造・販売を行っている。今回、新日鉄住金グループの保有する関連資産を取得することで、同製品のさらなる品質向上を目指す。
 昭和電工は現在進行中の中期経営計画「Project 2020+」において、パワー半導体SiCを、将来の市場成長を見据え競争優位なビジネスモデルを確立する「優位確立事業」に位置付けている。市場要求に応える製品開発、供給体制の構築を進め、SiCパワー半導体の本格普及に貢献していく。
注)1200V耐圧用デバイス仕様での換算。

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 08月09コンバーテック8月号(本文32頁)掲載のウイル・コーポレーション/日本HPの記事で、タイトルに一部誤りがありました【訂正PDFはこちら】