米国テキサス・インスツルメンツ(TI)は、テキサス州シャーマンの新しい300mm半導体工場(ファブ)の建設を来年開始する計画を発表した。シャーマンは、将来的な半導体の需要を満たすために最大4つの工場建設の可能性があり、それによりエレクトロニクス、特に産業用および車載用市場で見込まれる半導体事業の継続的な成長に対応が可能となる。第一および第二ファブの建設は2022年に開始予定。
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 TIの会長、社長兼最高経営責任者(CEO)であるリッチ・テンプルトン氏は次のように述べている。
 「シャーマンに建設予定のアナログ製品および組込みプロセッシング製品向け300mmファブは、製造とテクノロジにおけるTIの競争上の優位を引き続き強化するもので、TIの長期的なキャパシティ計画の一環です。テキサス州北部での取り組みは90年以上の長期にわたるものであり、今回の決定はシャーマンのコミュニティへのTIの強力なパートナーシップと投資の証しとなるものです」
 新しい第一ファブでの生産は、2025年開始を見込んでいる。最大4つのファブを建設することで、この拠点への総投資額は約300億ドルに達する可能性があり、3,000人の直接雇用を支えることになる。
 これらの新しいファブは、DMOS6(テキサス州ダラス)、RFAB1および2022年下半期に生産開始予定のRFAB2(ともにテキサス州リチャードソン)を含むTIの既存の300mmファブを補完するもの。さらに、TIが最近獲得したLFAB(ユタ州リーハイ)は2023年早々に生産開始予定。