【半導体】SEMI、300mmメモリ製造装置の投資額は2026年に500億ドル超へ。AIが牽引するHBM・DDR5・ストレージ需要が予測を押し上げ

　SEMI（本部：米国カリフォルニア州ミルピタス）は2026年6月29日（米国時間）、最新の「300mm Fab Outlook」レポートにおいて、世界の300mmファブ装置投資におけるメモリセグメント投資額が、2026年に前年比29％増の520億ドルに到達し、初めて500億ドルを超えるとの予測を発表した。2027年には、同11％増の570億ドルに達する見通し。この成長は、AIが牽引する先進メモリへの継続的な需要を反映しており、AIインフラ、データセンター、次世代コンピューティングシステムの需要増加に支えられている。
　将来的な展望として、世界の300mmファブ装置投資におけるメモリセグメント投資額は、2024年から2029年にかけて、年平均成長率（CAGR）19％で拡大する見込み。世界の300mmメモリ生産能力も、2026年には月産ウェーハが410万枚、2027年には同420万枚と増加することが予測されている。

　SEMIのプレジデント兼CEOであるAjit Manocha（アジット・マノチャ）氏は次のように述べている。
　「高帯域メモリ（HBM）をはじめとする先進メモリ技術への旺盛な需要が、半導体サプライチェーン全体における投資の優先順位を変えつつあります。AIインフラが拡大する中で、データ集約型アプリケーションの次の成長の波を支えるために、メモリメーカー各社は生産能力と技術移行への投資を同時に加速させています」

メモリ分野の成長
　300mm Fab Outlookレポートの2026年第2四半期版では、主要クラウドサービスプロバイダーによる設備投資計画の継続的な拡大と、AIアクセラレータ需要の強さを背景に、メモリセグメントの300mmファブ装置投資見通しを上方修正している。DRAM向けの装置投資額は2026年に29％増の370億ドルに達する見込みで、GPU等のAIアクセラレータに向けたHBMおよびDDR5の旺盛な需要がこれを支えている。また、3D NAND向け装置投資額も、AIの展開に伴うデータストレージ需要の拡大を背景に、2026年に28％増の140億ドルが予測されている。
　先進ノードDRAMや高積層3D NANDへの継続的な投資により、メモリ生産能力の拡大が見込まれ、最新の300mm Fab Outlookでも上方修正された。ただし、先進ノードDRAM、HBM、高積層NANDへの技術移行やプロセスの複雑化により、実効的な生産能力の伸びは一定程度抑制される見込み。
　300mm Fab Outlookは、世界の413の300mmファブ/ラインを掲載している。また、2026年3月の前回発行以降、155件の更新と、7件の新規ファブ／ラインプロジェクトが追加された。