【KrF半導体露光装置】キヤノン、「FPA-6400ES6a」発売

　キヤノンは、メモリーやロジック向けの半導体露光装置の新製品として、KrF^※1スキャナー「FPA-6400ES6a」を2026年12月上旬に発売する。
　近年、生成AIの普及を背景に先端半導体の需要が拡大しており、半導体露光装置にはさらなる生産性の向上が求められている。また、高集積化への移行に伴い露光工程数の増加や多層化が進み、ウエハーの反りやゆがみが顕著になっている。そのため、露光装置には、反りの大きなウエハーへの対応や、各層の回路パターンを高精度に重ね合わせることが求められている。新製品は、1時間当たりのウエハー露光数400枚^※2という高スループットと、業界最高水準^※3の重ね合わせ精度を兼ね備えたKrF半導体露光装置。画像アライメント（位置合わせ）システムへの新光源の追加やウエハーの反りへの対応を強化することで、高度化・多様化する半導体製造プロセスへ貢献する。特長は次の通り。
(1)先端半導体の量産に求められる高生産性と業界最高水準の重ね合わせ精度を実現
　新たに開発した超高加速度ステージにより駆動時間を短縮し、1時間当たり400枚のウエハー露光が可能となり、従来機種から大幅にスループットを向上した^※4。また、新開発の振動抑制技術などにより、業界最高水準となる4.0nmの重ね合わせ精度を実現している。これにより、先端半導体の量産における生産性と歩留まりの向上に寄与する。
(2)アライメントシステムへの新光源追加やウエハーの反りへの対応で多様な半導体製造プロセスに貢献
　キヤノン独自の画像アライメントシステムに、オプションとして新光源「Hi-ALS（High Alignment Light Source）」を追加。アライメント計測波長を任意に選択できるため、さまざまな半導体製造プロセスにおいて高精度な位置合わせができる。また、反りの大きなウエハーに対する吸着能力を向上し、対応可能な反り量を700μmに拡大。三次元デバイスの積層構造やウエハー貼り合わせ工程で生じるウエハーの反りへの対応力を強化している^※4。
(3)回生電力の活用などによりウエハー1枚当たりの消費電力量を削減
　ウエハーステージの減速時に発生する回生電力を必要なタイミングで再利用できる技術や、超高加速度ステージを支える高効率な電源を開発。ウエハー1枚の露光に必要な消費電力量を削減^※4し、環境にも配慮している。
※1　フッ化クリプトン。露光波長は248nm。
※2　300mm基板、96ショットの条件において、1時間当たりの露光処理枚数。
※3　300mm基板対応のKrFスキャナーにおいて。2026年11月9日現在（キヤノン調べ）
※4　従来機種「FPA-6300ES6a」（2012年4月発売）のGrade10オプション適用時との比較。