【AWARD】大日本印刷の回路線幅10nmのナノインプリント用テンプレート、「半導体・オブ・ザ・イヤー2026」半導体用電子材料部門でグランプリ受賞

　大日本印刷（DNP）は、産業タイムズ社主催の「半導体・オブ・ザ・イヤー2026」の半導体用電子材料部門で、2025年12月に発表した先端半導体製造向け「回路線幅10nmのナノインプリントリソグラフィ（Nano-Imprint Lithography：NIL）用テンプレート^＊1」が高く評価され、2026年5月21日に同部門のグランプリを受賞した。なお、授賞式は6月10日に執り行われた。
　今年で32回目となる同賞は、半導体業界の発展に貢献した優れた技術・製品・企業を表彰する業界アワード。半導体の微細化ニーズに対応する高精度なパターン形成技術や、次世代半導体製造への適用可能性など、その将来性が高く評価され、今回の受賞につながった。

「半導体・オブ・ザ・イヤー2026」について
　同賞は、2025年4月～2026年3月までに発表された半導体関連の優れた製品・技術を表彰するもの。選考対象には、新製品に加え、既存製品の性能向上や機能拡張を実現した改良技術も含まれる。候補案件は、「電子デバイス産業新聞」で紹介された製品・技術、同紙記者による推薦案件、および企業からの応募案件から選定される。
　「半導体デバイス」「半導体製造装置」「半導体用電子材料」の3部門で構成され、開発の独創性、量産性、社会的インパクト、将来性などの観点から、同紙記者による厳正な投票を経て決定される。
DNPが開発した回路線幅10nmのNILテンプレートについて
　描画装置によりマスク基板上に形成したパターンに対し、成膜・エッチング工程を組み合わせることでパターンの密度を2倍にするダブルパターニング（Self-Aligned Double Patterning：SADP）を活用し、NILテンプレートの微細化を実現した。これまで培ってきたフォトマスク製造の技術やノウハウに加えて、ウエハープロセスの製造技術を応用することで、1.4nm世代相当のロジック半導体に対応する。
　先端半導体製造の露光工程の効率化と消費電力の削減に貢献する。NILを用いたこの技術では、従来のArF液浸リソグラフィやEUVリソグラフィなどの露光工程と比較して、消費電力を約10分の1に抑えることができる^＊2。
＊1　ナノインプリントリソグラフィ（NIL）は、テンプレートに形成した微細パターンを樹脂に転写して回路を形成する技術。テンプレートは、半導体回路パターンを転写するための型として使用される。
＊2　NILによる超微細半導体の省エネルギー加工技術