【ガルバニック絶縁ゲート・ドライバ】STマイクロエレクトロニクス、SiC MOSFETおよびIGBT用発売

　STマイクロエレクトロニクス（ST）は、強化されたガルバニック絶縁により信頼性を高めた「STGAP3S」ゲート・ドライバ・ファミリを拡充し、より低い駆動電流が求められる回路向けに、高効率かつ低コストの3A（アンペア）シリーズを発表した。同ファミリには、SiC（炭化ケイ素）MOSFET向けに最適化された「STGAP3S3S」と、IGBT向けの「STGAP3S3IF」が含まれる。
　STGAP3Sファミリのすべてのドライバは、力率補正（PFC）回路や電源ユニット、DC/DCコンバータ、インバータにおいて、最大1200Vの高電圧レールで動作します。UL 1577やIEC 60747-17などの国際的な安全・絶縁認証により、優れた絶縁性能、安全な動作、そして高電圧環境下での長期にわたる高い信頼性が確認されています。主な用途には、充電ステーションやエネルギー貯蔵システム（ESS）、太陽光発電用インバータ、フォークリフトなどの産業用電気自動車、誘導加熱装置、汎用ドライブ、ポンプ、ファンなどの機器がある。
　STの最先端技術によって強化されたガルバニック絶縁は、最大9.6kVの過渡電圧からパワー段回路を保護し、最大200V/nsのコモン・モード過渡耐性（CMTI）を確保する。STGAP3Sファミリは、最大シンク/ソース電流がそれぞれ10A、6A、そして新たに3Aの3つのシリーズで構成され、各シリーズにIGBT向けとSiC MOSFET向けに最適化された品種が用意されている。
　最大駆動電流3Aの新しい「STGAP3S3」シリーズは、クランプ用MOSFETを含むアクティブ・ミラー・クランプ回路全体を内蔵しており、パワー・スイッチの意図しないターンオンを防止することで、貫通電流の発生を回避する。また、クランプ用MOSFETの集積により、基板面積の削減や回路設計の簡略化、部品点数の削減を実現するとともに、最大3Aのゲート駆動に適したクランプ性能を提供する。6Aの「STGAP3S6」シリーズおよび10Aの「STGAP3SX」シリーズは、外付けMOSFET用のプリドライバを集積しており、より高いゲート駆動電流を必要とするシステムにおいて、クランプ速度を柔軟に最適化できる。
　すべてのSTGAP3Sドライバは、ソフト・ターンオフ機能付きの非飽和（DESAT）検出機能を備えている。これにより、電圧および電流の遷移を制御し、過負荷や短絡などの危険な状態からパワー・スイッチを保護する。6Aおよび10Aのドライバと新しいSiC MOSFET向けの3Aドライバでは、外付け抵抗を接続することでソフト・ターンオフ速度を最適化できる。
　すべてのシリーズが、非飽和（DESAT）保護と低電圧ロックアウト（UVLO）、サーマル・シャットダウンの作動状態を示す診断ピンを備えている。また、負のゲート電圧の印加に対応しているため、意図しないターンオンをより確実に防止するとともに、異常時のターンオフ動作においてデバイスを保護する。さらに、通常のターンオフ遷移時には、リンギングのない堅牢なスイッチングを実現する。
　最新の3Aシリーズを含む全STGAP3Sドライバ向けに、評価ボードが提供されている。3Aシリーズ向けの「EVLSTGAP3S3S」および「EVLSTGAP3S3IF」は、保護機能があらかじめ設定されたハーフブリッジ評価ボードで、開発を支援するテスト・ポイントおよび診断用LEDを備えている。
　IGBTおよびSiC MOSFET駆動向けのSTGAP3Sファミリ（STGAP3S3、STGAP3S6、およびSTGAP3SXの各シリーズ）は、すべて現在量産中。各製品はSO16Wワイドボディ・パッケージで提供され、単価は1000個購入時に約1.93ドル。